keywords:"liquid phase epitaxial growth" - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"liquid phase epitaxial growth"

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Epitaxní růst z kapalné fáze Nohavica, Dušan Poměrně rozsáhlá přednáška shrnuje základní aspekty přípravy epitaxních vrstev z kapalné fáze (LPE), s důrazem ne deposici polovodičů. Jsou uvedeny způsoby dosažení maximální reprodukovatelnosti růstového procesu a účinnosti deposice. Důraz je rovněž kladen na rozbor mechanizmů tvorby dislokací v epitaxních vrstvách. Úplný záznam
	Physical properties of InP epitaxial layers prepared with dysprosium admixture Grym, Jan ; Procházková, Olga Physical properties of commonly prepared InP layers grown by LPE technique and those grown from Dy treated melt are compared. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a significant dependence on the presence of Dy and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Dy the reversal of electrical conductivity occurs. Úplný záznam
	Influence of rare-earth elements on InP-based semiconductor structures for radiation detectors Grym, Jan ; Procházková, Olga Preparation and characterization of InP epitaxial layers with Tb admixture in the growth melt is reported. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a signaficant dependence on the presence of Tb and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Tb in the growth melt the reversal of electrical conductivity occurs. Úplný záznam
	Characterisation of InP layers prepared by the LPE method with Pr and Nd addition in the growth melt Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel High purity InP epitaxial layers were grown by LPE from the melt conataining, besides essential components, also rare-earth elements admixture. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. The behaviour and the impact of Pr and Nd were compared. The concentration of shallow impurities was reduced by up to three orders of magnitude. PL spectra were markedly narrowed and fine spectral features were resolved. Úplný záznam
	Automatizace epitaxního růstu polovodičových heterostruktur Novotný, Jan ; Kostka, František ; Leba, P. ; Poupa, M. Úplný záznam
	Effect of LPE-growth buffer layer in the InGaAsP/InP systems Novotný, Jan ; Procházková, Olga Úplný záznam
	Preparation of the periodic structures by meander type LPE Nohavica, Dušan Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English